简称“vlsi电路”。指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成，故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时，硬件费用几乎可不计，而取决于设计费用。国际上硅片面积已增至厘米见方，管数达十亿个而线宽为01微米。

由电源、用电器、导线、电器元件等连接而成的电流通路。

微分电路和积分电路的统称。输出电压与输入电压成微分关系的电路为微分电路，通常由电容和电阻组成；输出电压与输入电压成积分关系的电路为积分电路，通常由电阻和电容组成。广泛用于计算机、自动控制和电子仪器中。

电荷沿电路绕一周后可回到原位置的电路。

集成电路之一。采用薄膜工艺在玻璃或陶瓷基片上制作电路元、器件及其接线，并加以封装而成。薄膜工艺包括蒸发、溅射、化学气相淀积等。特点为电阻、电容数值控制较精确，且数值范围宽，但集成度不高。主要用于线性电路。

晶体管导通时工作在非饱和区的一种逻辑集成电路。有“或”和“或非”两种输出。可构成各种逻辑关系。特点为开关速度快，甚至达亚毫微秒，但功耗大，抗干扰力差。

集成电路之一。采用厚膜工艺在玻璃和陶瓷基片上制作无源器件及其连线；有源器件则另行焊接在同一基片上，然后封装而成。厚膜工艺包括丝网印刷、烘干、烧结、喷涂等。特点为工艺简单，成本低，但体积较大。

简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。

实现数字信号逻辑运算和操作的电路。分组合逻辑电路和时序逻辑电路。前者的逻辑功能与时间无关，即不具记忆和存储功能，后者的操作按时间程序进行。由于只分高、低电平，抗干扰力强，精度和保密性佳。广泛应用于计算机、数字控制、通信、自动化和仪表等方面。

电压或电流振幅被限制在一定电平以下的电路。一般利用器件的非线性实现限幅。分为二极管限幅电路和晶体管限幅电路两类。主要用来对波形进行整形和形成方波等。