抗高
金属氧化物半导体集成电路
拼音:jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dáo tǐ jí chénɡ diàn lù 首字母大写:JSYHWBDTJCDL五笔:qqq ntk ruk wx cq ug nf wsg wys dn jn kht 金属氧化物半导体集成电路的同义词反义词
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
射极跟随器
拼音:shè jí ɡēn suí qì 首字母大写:SJGSQ五笔:tmd sby khv bde kkd 射极跟随器的同义词反义词
信号从发射极输出的放大器。其特点为输入阻抗高,输出阻抗低,电压放大系数略低于1,负载能力强。也可认为是一种电流放大器。常作阻抗变换和级间隔离用。